Дифракция электронов. Электронный микроскоп
величинами, мы приобретаем возможность «работать» с отдельными атомами и
молекулами вещества или по крайней мере с объектами, в которых не очень
много атомов. Современные электронные микроскопы позволяют наблюдать и
изучать большие органические молекулы.
Итак, совершив «прорыв» в средствах наблюдения в область размеров
порядка 10(-9(10(-10 м, мы по сравнению с метром ( величиной, сравнимой с
длиной шага, совершаем скачок в миллиарды (10(9) раз. Обратим внимание, что
расстояние от Земли до окраинных объектов Солнечной системы (6e9 км,
которое свет(его скорость 300000 км/сек) проходит примерно за 6 ч, по
сравнению с линейными размерами города ((10 км), оказывается больше в 6e8
раз.
Но хорошо, что же можно узнать нового, проникнув в область сверх
малых размеров, открываемых электронной микроскопией? Не представляет ли
собой этот мир атомов и молекул нечто, в котором отсутствуют не только
краски и звуки, но и вообще какие-либо признаки разнообразия, жизни и
красоты? Оказывается не нужно даже обладать богатым воображением, чтобы
увидеть своеобразную красоту мира сверх малых объектов и увлечься ею.
Посмотрите на рис. 5, и вы в этом убедитесь.
Рис. 5. Кристалл K2PtCl4, выраженный на пленке из водного раствора.
На уровне размеров, разрешаемой современной электронной микроскопией,
разворачиваются события, играющие в конечном итоге исключительно важную
роль в жизни человека, природе и технике. Прежде всего биология. Живые
клетки представляют собой сложные структурные образования; в них протекают
сложнейшие, изученные лишь частично биохимические процессы. Ход этих
процессов определяет жизнедеятельность клеток, их взаимосвязь и в конечном
итоге жизнедеятельность организмов.
В этом мире нашему взору открываются ранее не известные нам
населяющие его «жители», их действия и привычки, взаимоотношения между
собой, их дружба и маленькие трагедии, которые в конечном итоге приводят к
событиям, играющим важнейшую роль в масштабах природы и человечества. Здесь
на молекулярном уровне хранится величайшая тайна ( тайна жизни, ее вечного
воспроизведения и совершенствования. Здесь же спрятаны такие факторы, как
причины болезней и смерти, либо прерывающие жизнь, либо делающие ее
трагической; вирусы многих грозных болезней «легких», таких, как грипп, и
страшных - таких, как чума; сложные молекулярные структуры ( молекулы ДНК,
РНК, хранящие вековечный код жизни, воспроизводящие и осуществляющие эту
жизнь, ( принадлежат к этому миру.
Многие свойства материалов, являющихся основой современной техники и
использующихся в повседневной жизни человека и общества в целом,
определяются свойствами микроструктур вещества, также относящихся к этому
миру.
Таким образом, мир, который открывают нам методы электронной
микроскопии, не только многообразен и по своему красочен, но и играет
чрезвычайно важную роль в жизни природы и человечества.
Виды электронных микроскопов.
Многообразие явлений, требующих изучения при помощи электронной
микроскопии, определяет разнообразие и специфику ее методов и
соответствующих устройств. Мы уже знакомы с принципом действия
просвечивающего электронного микроскопа. С его помощью можно исследовать
тонкие образцы, пропускающие падающий на них пучок электронов.
В ряде случаев и в первую очередь для исследования массивных объектов
применяются электронные микроскопы других типов.
Эмиссионный электронный микроскоп формирует изображение с помощью
электронов, испускаемых самим объектом. Такое испускание достигается путем
нагревания объекта (термоэлектронная эмиссия), освещения его
(фотоэлектронная эмиссия), бомбардировки электронами или ионами (вторичная
электронная эмиссия), а также помещением его в сильное электрическое поле
(автоэлектронная эмиссия). Увеличенное изображение формируется подобно
тому, как это делается в микроскопе просвечивающего типа. Образование
изображения в эмиссионном электронном микроскопе происходит в основном за
счет различного испускания электронов микроучастками объекта. При
эмиссионных исследованиях объектов разрешающая способность микроскопов
составляет (300А(.
Эмиссионная электронная микроскопия нашла широкое применение в
исследованиях и разработках катодов электровакуумных приборов различного, в
том числе радиолокационного применения, а также в физических исследованиях
металлов и полупроводников.
В отражательном электронном микроскопе изображение создается с
помощью электронов, отраженных (рассеянных) поверхностным слоем объекта.
Образование изображения в нем обусловлено различием рассеяния электронов в
разных точках объекта в зависимости от материала и микрорельефа. Обычно
образцы получаются под малым углом (приблизительно несколько градусов) к
поверхности. Практически на электронных микроскопах такого типа достигнуто
разрешение порядка 100 ангстрем.
Одна из особенностей отражательного электронного микроскопа —
различие увеличений в различных направления вдоль плоскости объекта связано
с наклонным положением объекта по отношению к оптической оси микроскопа.
Поэтому увеличение такого микроскопа характеризуют обычно двумя величинами:
увеличением в плоскости падения пучка электронов и увеличением в плоскости,
перпендикулярной плоскости падения.
Растровый электронный микроскоп основан на использовании
предварительно сформированного тонкого электронного луча (зонда),
положением которого управляют с помощью электромагнитных полей. Это
управление (сканирование) во многом аналогично процессу развертки в
телевизионных кинескопах. Электронный зонд последовательно проходит по
поверхности исследуемого образца. Под воздействием электронов пучка
происходит ряд процессов, характерных для данного материала и его
структуры. К их числу относятся рассеяние первичных электронов, испускание
(эмиссия) вторичных электронов, появление электронов, прошедших сквозь
объект (в случае тонких объектов), возникновение рентгеновского излучения.
В ряде специальных случаев (люминесцирующие материалы, полупроводники)
возникает также световое излучение. Регистрация электронов, выходящих из
объекта, а также других видов излучения (рентгеновского, светового) дает
информацию о различных свойствах микроучастков изучаемого объекта.
Соответственно этому системы индикации и другие элементы растровых
микроскопов различаются в зависимости от вида регистрируемого излучения.
Синхронно с разверткой электронного зонда осуществляется развертка
луча большого кинескопа. Рассмотрим работу растрового электронного
микроскопа в режиме индикации тока вторичных электронов. В этом случае
величина вторичного электронного тока определяет глубину модуляции яркости
на экране кинескопа. Растровый электронный микроскоп такого типа позволяет
получить увеличение 100 ( 100 000 при достаточной контрастности
изображения. Разрешающая способность растровых электронных микроскопов
определяется диаметром электронного зонда и в случае получения изображения
в электронных лучах составляет (300А(. Растровые электронные микроскопы
позволяют изучать, например, так называемые p-n переходы в полупроводниках.
Из электронных микроскопов упомянем зеркальный электронный микроскоп,
основной особенностью которого является чувствительность к микроскопическим
электрическим и магнитным полям на отражающем массивном объекте. При этом
достигается разрешение деталей порядка 1000А( и увеличение почти в 2000*.
Работа такого микроскопа основана на действии микроскопических
электрических и магнитных полей на электронный поток. Зеркальный
электронный микроскоп позволяет изучать, например, доменную структуру
ферромагнитных материалов, структуру сегнетоэлектриков.
В теневом электронном микроскопе, так же как и в растровом,
формируется электронный зонд, однако положение его остается неизменным.
Электронные лучи зонда служат для получения увеличенного теневого
изображения объекта, помещенного в непосредственной близости от зонда.
Образование изображения обусловлено рассеянием и поглощением электронов
различными участками объекта. Следует отметить, что интенсивность конечного
изображения в теневом электронном микроскопе незначительна, поэтому обычно
в них используются усилители света типа электронно-оптических
преобразователей.
Важной разновидностью электронных микроскопов растрового типа
является микрорентгеноспектральный анализатор. Прибор основан на
возбуждении так называемого характеристического рентгеновского излучения
атомов малого участка поверхности - образца с помощью тонкого
высокоскоростного электронного зонда. Электронный зонд с помощью системы
развертки обегает исследуемую поверхность. При торможении электронов на
поверхности возникает наряду с так называемым тормозным излучением
характеристическое рентгеновское излучение, свойства которого существенно
определяются строением электронных оболочек в атомах вещества. Это
излучение обязано своим возникновением энергетическим переходом между
глубокими энергетическими уровнями атомов.
Возникающее характеристическое излучение регистрируется с помощью
рентгеноспектральной аппаратуры. Диаметр электронного зонда может
изменяться от 360 до 0,5 мкм, а размер просматриваемой площадки
представляет собой квадрат со стороной 360, 180, 90 или 45 мкм. В одном из
приборов такого типа скорость анализа по одному химическому элементу
соответствует движению зонда 8 или 96 мкм/мин (при механическом перемещении
объекта). Анализировать можно все элементы периодической системы элементов
Менделеева, легких (от атомного номера 11 - натрия).минимальный объем
вещества, поддающегося количественному анализу, составляет 0,1 мкг. С
помощью микрорентгеновского анализатора получают распределение физико-
химического состава вдоль исследуемой поверхности.
В СССР серийно выпускается (выпускался) микрорентгеновский анализатор
типа МАР-1 (диаметр зонда около 1 мкм, наименьшая анализируемая площадь
1мкм(2). Приборы такого вида находят применение в электронной
промышленности и в других областях науки и техники.
Читатель, видимо, обратил внимание на тот факт, что в электронных
микроскопах не достигается разрешающая способность, предсказываемая
теорией. В чем же дело? Вспомним, что в формировании изображения в
электронных микроскопах важную роль играют элементы электронной оптики,
позволяющие осуществлять управление электронными пучками. Этим элементам —
электронным линзам свойственны различного рода отклонения от идеального
(требуемого расчетом) распределения электрических и магнитных полей.
Положение здесь во многом аналогично ограничениям в оптической микроскопии,
связанным с неточностью изготовления оптических линз, зеркал и других
элементов. Кроме того, ряд трудностей связан с особенностями изготовления и
работы источников электронных потоков (катодов), а также с проблемой
создания потоков, в которых электроны мало отличаются по скоростям. В
соответствии с этими фактами, действующими в реальных условиях, различают
определённые виды искажений в электронных микроскопах, используя при этом
терминологию, заимствованную из световой оптики.
Основными видами искажений электронных линз в просвечивающих
микроскопах являются сферическая и хроматическая аберрации, а также
дифракция и приосевой астигматизм. Не останавливаясь на происхождении
различных видов искажений, связанных с нарушениями симметрии полей и
взаимным расположением элементов электронной оптики, упомянем лишь о
хроматической аберрации. Последний вид искажений аналогичен возникновению
окрашенных изображений в простых биноклях и лупах. Использование
спектрально чистого монохроматического света в оптике (вместо белого)
устраняет этот вид искажений. Аналогично этому в электронной микроскопии
используют по возможности пучки электронов, скорости которых отличаются
мало (вспомним соотношение (=h/(m(v) для электрона!). Этого достигают
применением высокостабильных источников электрического питания.
Близким «родственником» электронного микроскопа является
электронограф ( прибор, использующий явление дифракции электронов, той
самой дифракции, которая в своё время подтвердила наличие волновых свойств
у электронов и ставит в наши дни предел разрешения в электронном
микроскопе. В случае электронов объектами, в которых может происходить
дифракция на периодической структуре (аналогичной объёмной дифракционной
решётке в оптике), служат кристаллические структуры. Известно, что в
кристаллах атомы расположены в строгом геометрическом порядке на
расстояниях порядка единиц ангстрем. Особенно правильно это расположение в
так называемых монокристаллах. При взаимодействии электронов с такими
структурами возникает рассеяние электронов в преимущественных направлениях
в соответствии с предсказываемыми теорией соотношениями. Регистрируя
рассеянные электроны (например, фотографируя их), можно получать информацию
об атомной структуре вещества. В современных условиях электронография
широко применяется при исследованиях не только твёрдых, но и жидких,
газообразных тел. О виде получаемых электронограмм можно судить по
фотографиям (см. рис.6).
Рис. 6. Электорнограмма высокого разрешения (окись цинка):
вверху ( электронограмма; внизу ( увеличенное изображение участка А.
В нашей стране и за рубежом применяются специализированные
электронографы промышленного типа. Кроме того, в некоторых электронных
микроскопах предусмотрена возможность работы в режиме электронографии.
Следует заметить, что с точки зрения физики получение электронограмм
представляет собой процесс, во многом близкий процессу получению
рентгенограмм в рентгеноструктурном анализе. Действительно, если в
электрографии используется дифракция электронов, то в рентгеноструктурном
анализе происходит дифракция рентгеновских лучей на атомных структурах.
Естественно, что каждый из этих методов имеет свою область применения.
Особенности работы с электронным микроскопом.
Остановимся кратко на основных приемах работы в электронной
микроскопии. Естественно, что эти приемы своеобразны, учитывая сверхмалые
размеры объектов, подлежащих исследованию. Так, например, в биологических
исследованиях находят применения «сверхтонкие ножи» - микротомы,
позволяющие получать срезы биологических объектов толщиной менее 1 мкм.
Главные особенности методики электронной микроскопии определяются
необходимостью помещения объекта исследования внутрь колонны электронного
микроскопа, т.е. в вакуум и обеспечения условий высокой чистоты, так как
малейшие загрязнения могут существенно исказить результаты. Для
просвечивающего электронного микроскопа объект приготовляется в виде тонких
пленок, в качестве которых могут служить различного рода лаки, пленки
металлов и полупроводников, ультратонкие срезы биологических препаратов.
Кроме того, объектами исследования могут быть тонко измельченные
(диспергированные) совокупности частиц. Обычно в просвечивающих
микроскопах, работающих при напряжениях 50-100 кв, толщина объектов не
может превышать 200 А((для неорганических веществ) и 1000 А( (для
органических). Биологические объекты в большинстве случаев приходится
контрастировать, т.е. «окрашивать» (солями тяжелых металлов), оттенять
напылением металлов (платиной, палладием и др.) и использовать ряд других
приемов. Необходимость контрастирования вызвана тем, что большинство
биологических объектов содержит атомы легких элементов (с малым атомным
номером) - водород, углерод, азот, кислород, фосфор и т.д. в то же время
толщина объектов, интересных для биологии и медицины, составляет величину
порядка 50 А(. Без контрастирования при электронно-микроскопических
исследованиях вирусов наблюдаются бесструктурные пятна, а отдельные
молекулы нуклеиновых кислот вообще неразличимы. Использование методов
контрастирования позволяет эффективно применить электронную микроскопию в
биологических исследованиях и в том числе при исследованиях больших молекул
(макромолекул) ( см., например, рис. 7.
Рис. 7. РНК из вируса табачной мозаики (из раствора с ионной силой
0,0003 мкм).
В ряде случаев при исследовании, например, массивных объектов в
технике широкое применение находит метод получения отпечатков, который
заключается в изготовлении и последующем исследовании в микроскопе копий
поверхностей объектов.
Используются как естественные отпечатки (тонкие слои окислов), так и
искусственные, получаемые путем нанесения (напыления, осаждения) пленок
кварца, углерода и других веществ. Наибольшее разрешение ( (10 А()
позволяют получить угольные реплики, которые находят широкое применение как
в технике, так и в биологии.
При наблюдении электронно-микроскопическими методами влажных объектов
( в том числе живых клеток) используются вакуумно-изолированные газовые
микрокамеры. Объекты исследования помещаются в электронных микроскопах на
тончайшие пленки - подложки, которые крепятся на специальных сетках,
изготовляемых обычно из меди электролитическим способом. Эти пленки должны
удовлетворять целому ряду требований, поскольку относительно большая
толщина их, а также сильное рассеяние ими электронов приводят к резкому
ухудшению качества изображения объекта. Кроме того, материал таких пленок
должен обладать хорошей теплопроводностью и высокой стойкостью к
электронной бомбардировке.
Кстати, об электронной бомбардировке объекта исследования и ее
последствиях. При попадании электронов на объект они выделяют энергию,
примерно равную кинетической энергии их движения. В результате могут
происходить местный разогрев и разрушение участков объекта.
Электронный микроскоп часто используется для микрохимического анализа
исследуемого вещества согласно методу, предложенному М. И. Земляновой и Ю.
М. Кушниром. По существу этот метод аналогичен методу микрохимического
анализа с помощью оптического микроскопа. В данном случае электронный
микроскоп используется в качестве устройства, способного обнаружить малые
количества искомого вещества (по форме и структуре кристаллов и т.п.). на
поверхность водного раствора, в котором предполагается наличие искомых
ионов, наносится капля 1 — 1,5% раствора нитроклетчатки в амилацетате.
Капля растекается по поверхности жидкости и образует коллодиевую пленку, на
которую наносится капля реагента. Ионы реагента проникают (диффундируют)
сквозь пленку и, взаимодействуя с раствором, образуют на поверхности пленки
кристаллы, которые содержат ионы, подлежащие обнаружению. После специальной
очистки кусочек пленки с кристалликами помещается в электронный микроскоп,
и на основе изучения этих кристалликов оказывается возможным дать ответ о
наличии искомых ионов, а в ряде случаев — и об их концентрации. Такой метод
микрохимического анализа характеризуется высокой чувствительностью (на 2 —
3 порядка большей по сравнению с другими способами). Например, ионы
марганца могут быть обнаружены в растворе с концентрацией не ниже 10(-11
нормального раствора при содержании иона 10(-11 г (по данным А. М.
Решетникова).
Пути преодоления дифракционного предела электронной микроскопии.
К настоящему времени электронная микроскопия достигла больших успехов
и нашла многочисленные применения. Однако в ряде случаев, о которых кратко
было сказано выше, было бы чрезвычайно желательным добиться дальнейшего
прогресса в электронной микроскопии. Это в первую очередь относится к
проблеме достижения большей разрешающей способности.
На пути решения этой краеугольной задачи стоят чрезвычайно серьезные
технические трудности, связанные с проблемами создания электронных линз, их
взаимного расположения формирования односкоростных электронных потоков.
Совокупность этих факторов приводит в конечном итоге к различного рода
искажениям, играющим важную роль при больших увеличениях и приводящим к
тому, что практически достигаемое разрешение оказывается хуже предельного.
По мере приближения электронной микроскопии к своим предельным
возможностям все труднее и труднее становится вносить в нее дальнейшие
усовершенствования.
Самые последние достижения в электронной микроскопии основаны на
применении новых высоковольтных (V = 100 кв) и сверхвысоковакуумных (вакуум
2e-10 мм рт.(ст.) приборов. Высоковольтная электронная микроскопия, как
показывает опыт, позволяет уменьшить хроматическую аберрацию электронных
линз. В печати сообщается, например, о том, что с помощью нового японского
микроскопа SMH-5 могут быть получены фотографии решеток с межплоскостным
расстоянием (1 А(. Сообщается также, что на новом электронном микроскопе с
ускоряющим напряжением 750 кв получено разрешение, равное 3 А(.
Рассматриваются возможности применения в электронной микроскопии линз
из сверхпроводящих сплавов (например, Hi ( Zn), которые позволят получить
высокие оптические свойства электронных систем и исключительную
стабильность полей. Ожидается, что использование специальных линз-фильтров
позволит получить новые результаты в отражательной электронной микроскопии.
При использовании таких линз в просвечивающем электронном микроскопе
удалось существенно улучшить их разрешающую способность.
В растровых электронных микроскопах просвечивающего типа к настоящему
времени достигнута разрешающая способность в 100 А(. Новый эмиссионный
микроскоп позволяет получать разрешения деталей с размерами от 120 (для
фотоэмиссии) до 270 А( (для вторичной эмиссии).
Вызывает интерес сообщение о том, что голландская фирма Philips вносит
ряд усовершенствований в микроскоп типа EM-300, которые позволят довести
практическую разрешающую способность до теоретического предела (!). Правда,
о существе этих усовершенствований пока не сообщается.
Важность проблемы улучшения разрешающей способности в электронной
микроскопии, приближение ее к теоретическому пределу стимулировала
проведение целого ряда исследований в этой области. Из многочисленных
предложений и идей, зачастую остроумных и весьма перспективных, остановимся
на идеях, высказанных английским физиком Габором, получивших в последние
годы широкое развитие в оптике, радиофизике, акустике, особенно в связи с
созданием оптических квантовых генераторов (лазеров). Речь идет о так
называемой голографии, о которой известно сейчас не только специалистам, но
и всем тем, кто интересуется новейшими достижениями физики. Вместе с тем не
все, наверное, знают, что первые работы Габора по голографии, проведенные
еще в «долазерный» период (1948-1951), были поставлены и выполнены именно в
связи с задачей повышения разрешающей способности в электронной
микроскопии.
Сущность предлагавшегося метода сводилась к следующему.
Монохроматический поток электронов, т.е. поток, содержащий электроны с
одинаковыми скоростями, освещает объект исследования (по схеме
просвечивающего или теневого микроскопа). При этом происходит дифракция
электронов на объекте (вспомним волновые свойства электронов!). Обычно в
электронном микроскопе пучок, претерпевший дифракцию на объекте, поступает
в систему электронных линз, формирующих изображение и обеспечивающих нужное
большое увеличение. Однако эти же линзы, как мы уже отмечали, являются
источниками трудно устранимых искажений, препятствующих достижению
теоретического разрешения. В новом методе предлагалось фиксировать
результат дифракции электронов фотографически в виде дифракционной картины
и подвергать эту картину последующей обработке с помощью оптических
методов, где получение нужных усилений может быть достигнуто с меньшими
искажениями. В таком двухступенчатом процессе получения изображений
основное увеличение достигается за счет перехода от «электронных» длин волн
к оптическим. При этом следует отметить, что обрабатываемая оптическими
методами картина дифракции практически не имеет сходства с объектом
исследования. Однако с помощью светового излучения (видимого) по этой
картине в несложном оптическом устройстве можно восстановить изображение
исследуемого объекта. Для этого источник излучения должен посылать
монохроматические когерентные волны, т.е. должен обладать теми свойствами,
которые так ярко проявляются у оптических квантовых генераторов.
Заметим, что, образно говоря, в этом двухступенчатом процессе мы
фиксируем, «замораживаем» фронт электронных волн и потом воспроизводим его
вновь в виде фронта световой волны в значительно большем масштабе,
используя при этом различие длин волн света и электронов (это соотношение,
например, может быть порядка 6000А(/0,030А( ( 200000).
В таком «безлинзовом», а потому и не вносящим искажений увеличении и
заключается основное достоинство метода голографии в электронной
микроскопии.
К числу новых направлений следует также отнести область микроскопии,
использующую вместо электронов другие виды микрочастиц, тяжелых по
сравнению с электронами. В этом случае дифракционный предел,
предсказываемый теорией, смещен в более далекую область малых размеров.
Примером такого направления микроскопии является развивающаяся автоионная
микроскопия.
В автоионных микроскопах, используемых при исследовании физики
поверхностных явлений, главным образом в металлах, оказывается возможным
видение отдельных атомов. Методика автоионной микроскопии весьма
своеобразна; эта область претерпевает бурное развитие.
Как же далеко мы сможем еще продвинуться по пути раскрытия тайн
микрообъектов? Мы видим, что за исторически короткий срок, используя
новейшие достижения физики и радиоэлектроники, электронная микроскопия
превратилась в мощное орудие исследования природы. Обозримое будущее этой
области науки связано с реализацией дерзновенных проектов создания таких
приборов, которые позволят «приблизить» и сделать зримым многообразный и
красочный микромир. Далеко не всё ещё ясно на этом пути, на котором
постоянно возникают всё более и более сложные научно-технические и
технологические проблемы. Современные приборы микроскопии являются
несравненно более сложными устройствами, чем микроскопы недавнего прошлого.
Уже сейчас мы сталкиваемся с очевидным фактом: приборы микроскопии
становятся всё более сложными и громоздкими по мере проникновения в ранее
недосягаемые тайны мира малых объектов. Дальнейшее усложнение этих
приборов, увеличение затрат на их изготовление определяются необходимостью
разрешения новых всё более сложных проблем.
Здесь уместно провести аналогию с развитием экспериментальной ядерной
физики, где получение информации о свойствах микрочастиц вещества, из
которых состоят ядра атомов, связано с созданием сложнейших и, как правило,
чрезвычайно громоздких и дорогих приборов и установок.
Получение информации, раскрывающей тайны микромира, оплачивается
высокой ценой. Однако происходящие при этом затраты интеллектуальных и
материальных ресурсов, как показывает опыт истории науки, безусловно,
окупаются теми возможностями, которые открываются при этом в технике,
физике, химии, биологии и медицине.
Литература:
. Рукман Г.И. , Клименко И.С. Электронная микроскопия. М., Знание, 1968.
. Савельев И.В. Курс физики, т.3. М., Наука, 1989.
Рисунки:
-----------------------
[1] Напомним, что 1(( (ангстрем) = 10e-10 м.
[2] В абсолютной системе единиц коэффициент преломления вакуума равен
единице.
[3] Обратим внимание на то, что масса электрона по данным 1996 г. известна
с относительной погрешностью не более 0,00003, а заряд ( не более 0,00002.
Страницы: 1, 2, 3
|